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次世代メモリデバイスへ向けて原子層堆積法により作製したHfxZr1?xO2薄膜の強誘電性に関する研究
http://hdl.handle.net/10291/21807
http://hdl.handle.net/10291/218075205273e-3644-46c8-a061-5a31f925e8e2
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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論文要旨 (244.8 kB)
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審査報告書 (498.1 kB)
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論文本文 (12.8 MB)
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| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2021-05-28 | |||||||
| タイトル | ||||||||
| タイトル | 次世代メモリデバイスへ向けて原子層堆積法により作製したHfxZr1?xO2薄膜の強誘電性に関する研究 | |||||||
| 言語 | ja | |||||||
| 言語 | ||||||||
| 言語 | jpn | |||||||
| 資源タイプ | ||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_db06 | |||||||
| 資源タイプ | doctoral thesis | |||||||
| アクセス権 | ||||||||
| アクセス権 | open access | |||||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||||
| 著者 |
女屋, 崇
× 女屋, 崇
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| 著者別名 | ||||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||||
| 識別子 | 10839 | |||||||
| 姓名 | ONAYA, TAKASHI | |||||||
| 書誌情報 |
p. i-207, 発行日 2021-01-01 |
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| 著者版フラグ | ||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||
| その他のタイトル | ||||||||
| その他のタイトル | Study on Ferroelectricity of HfxZr1?xO2 Thin Films Fabricated by Atomic Layer Deposition for Future Memory Device Applications | |||||||
| 学位名 | ||||||||
| 学位名 | 博士（工学） | |||||||
| 学位授与機関 | ||||||||
| 学位授与機関識別子Scheme | kakenhi | |||||||
| 学位授与機関識別子 | 32682 | |||||||
| 学位授与機関名 | 明治大学 | |||||||
| 学位授与年度 | ||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||
| 内容記述 | 2021 | |||||||
| 学位授与年月日 | ||||||||
| 学位授与年月日 | 2021-03-26 | |||||||
| 学位授与番号 | ||||||||
| 学位授与番号 | 甲第1018号 | |||||||
