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アイテム / 次世代メモリデバイスへ向けて原子層堆積法により作製したHfxZr1?xO2薄膜の強誘電性に関する研究 / onaya_2021_rikou
onaya_2021_rikou
| ファイル | ライセンス |
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 onaya_2021_rikou.pdf (12.8 MB)
sha256
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| 公開日 | 2022-10-11 | |||||
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| ファイル名 | onaya_2021_rikou.pdf | |||||
| 本文URL | https://meiji.repo.nii.ac.jp/record/15229/files/onaya_2021_rikou.pdf | |||||
| ラベル | 論文本文 | |||||
| オブジェクトタイプ | fulltext | |||||
| フォーマット | application/pdf | |||||
| サイズ | 12.8 MB | |||||
| Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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